Phase-change thin films. Resistance switching and isothermal crystallization
studies
Datum: 03 oktober 2008
Promotie: R. Pandian, 14.45 uur, Academiegebouw, Broerstraat 5,
Groningen
Proefschrift: Phase-change thin films. Resistance switching and
isothermal crystallization studies
Promotor(s): prof.dr. J.T.M. de Hosson
Faculteit: Wiskunde en Natuurwetenschappen
Nieuwe materialen voor data-opslag
Materialen die faseveranderingen kunnen ondergaan, zijn interessant
bij het ontwikkelen van nieuwe elektronische onderdelen die in
computers en andere elektronische apparatuur gebruikt worden voor
stabiele data-opslag.
Opslag van data eist niet alleen een hoge dichtheid, maar ook een hoge
data-overdracht. Het proefschrift van Ramanathaswamy Pandian gaat over
de registratie van de elektrische gegevens door onderzoek aan
faseveranderingen in dunne GeSbTe-films met twee soorten
omschakelmechanismen. Een is gebaseerd op amorf-kristallijn fase
transformatie en de andere op de vaste-stof elektrolytische gedrag van
de films. Met behulp van de atomaire kracht microscopie techniek zijn
de mechanismen overtuigend aangetoond op de nanometer schaal.
Bovendien is uitgebreid onderzoek uitgevoerd naar de
omschakelkenmerken zoals de omkeerbaarheid, aantal omkeringen en
responstijd met behulp van een prototype condensatorachtige geheugen
cellen.
Ramanathaswamy Pandian (India, 1978) studeerde aan de Bharathiar
University. Het onderzoek werd uitgevoerd bij de afdeling Applied
Physics van het Zernike Institute for Advanced Materials van de RUG.
Rijksuniversiteit Groningen