Technische Universiteit Delft

(kwantum)-computer
16 februari 2004 | 15.30 uur
hr. G.D.J. Smit | doctorandus in de natuurkunde.

Promotor | Prof.dr.ir. T.M. Klapwijk (fac TNW)

Atomic-scale electronics in semiconductors

Onzuiverheden (in de vorm van doteringsatomen) spelen een essentiële rol voor de elektronische eigenschappen van halfgeleiders. Met hedendaagse lithografische technieken is het mogelijk om onderzoek te doen aan een stukje halfgeleider van enkele tientallen nanometer groot. Dat is zo klein dat het maar één of een paar doteringsatomen bevat. Op die schaal is de halfgeleider dan ook niet meer homogeen. Metingen in dit onderzoek laten duidelijk zien dat de eigenschappen van heel kleine conventionele elektrische componenten, bijvoorbeeld diodes, sterk afhangen van de precieze positie van de doteringsatomen in zo'n diode. Dit is een fundamenteel probleem waar de chipindustrie binnen een aantal jaren tegenaan zal lopen. Het is zeer interessant om een stap verder te gaan en te onderzoeken of een enkel doteringsatoom als basis kan dienen voor de componenten van een toekomstige (kwantum-)computer. Hiervoor bestaan reeds verscheidene ideeën. In het onderzoek van Smit wordt experimenteel aangetoond dat metingen aan een individueel doteringsatoom haalbaar zijn. Bovendien zijn een groot aantal berekeningen gedaan die inzicht geven in de mogelijkheden om zo'n atoom van buitenaf te beïnvloeden, iets wat vereist is om een individueel doteringsatoom in een computer te kunnen gebruiken.

Voor verder lezen:

* Computer simulation of materials at atomic level ed. by Péter Deák, Thomas Frauenheim, 2000

* Nanoelectronics and information technology : advanced electronic materials and novel devices ed. by Rainer Waser, 2003

* Scanning tunneling microscopy and its application by Chunli Bai, 2000

Voor informatie:

Sanden, M.C.A. van der M.C.A.vanderSanden@tudelft.nl