*
* Sensoren
* 14-01-2002 | 16.00 uur
* hr. J.F. Creemer | elektrotechnisch ingenieur.
* promotoren | Prof.dr. P.J. French en Prof.dr.ir. S. Middelhoek (fac ITS)
*
* A theoretical and experimental study of the piezo-junction effect in silicon
* Mechanische spanningen beïnvloeden het elektrische gedrag van bipolaire transistors. Dit effect is onderzocht en beschreven met een nieuw model. Het model kan worden toegepast bij het ontwerpen van silicium sensoren. Veel temperatuursensoren worden onnauwkeurig door het effect vanwege de thermische mechanische spanningen die tijdens de fabricage ontstaan. Met het nieuwe model kan voorspeld worden wat het effect is van die spanningen en hoe dat het best gereduceerd kan worden. In veel mechanische sensoren daarentegen zou het effect gebruikt kunnen worden om druk, rek, en versnelling om te zetten in een elektrisch signaal. Het model kan helpen de optimale oriëntatie van deze sensoren te bepalen. Het model is theoretisch afgeleid uit de halfgeleiderfysica en bevestigd door experimenten. Uit de theorie bleek dat de mechanische spanning vooral invloed had op de transistor via de geleiding van minderheidsladingsdragers in de basis. De spanningsgevoeligheid van deze geleiding is een materiaaleigenschap die tot nu toe nooit als zodanig was herkend. In de experimenten is die gevoeligheid bepaald door verschillende transistors te onderwerpen aan buigproeven
*
* Voor verder lezen:
* The piezojunction effect in silicon, its consequences and applications for integrated circuits and sensors / by Fabiano Fruett, 2001
* Frontiers in electronics from materials to systems ed. by Y.S. Park... , 2000
* Properties of crystalline silicon ed. by R. Hull, 1999
*